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物理氣相沉積設(shè)備PVD的歷史、原理及零件制造

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  • 添加日期:2023年04月10日

物理氣相沉積設(shè)備,簡(jiǎn)稱PVD設(shè)備,是一種利用物理方式將材料從源頭蒸發(fā)或?yàn)R射到基底表面進(jìn)行薄膜制備的技術(shù)。它是一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光學(xué)、電子、航空航天等領(lǐng)域的關(guān)鍵工藝設(shè)備。本文將從歷史發(fā)展、原理以及零件制造等方面詳細(xì)介紹PVD設(shè)備。

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圖片來(lái)源:Naura

一、歷史發(fā)展

 

PVD技術(shù)最初源于1960年代末期,當(dāng)時(shí)主要應(yīng)用于半導(dǎo)體行業(yè)中的金屬化工藝。20世紀(jì)70年代初期,PVD技術(shù)逐漸發(fā)展成為一種廣泛應(yīng)用的工藝。在1980年代,PVD技術(shù)已經(jīng)發(fā)展到了成熟的階段,開(kāi)始應(yīng)用于多種領(lǐng)域。

 

隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和市場(chǎng)需求的增加,PVD技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和發(fā)展。目前,PVD設(shè)備已經(jīng)分為多種類(lèi)型,包括磁控濺射、電弧離子鍍、分子束蒸發(fā)等。同時(shí),也發(fā)展出了多種特殊PVD技術(shù),例如磁控反應(yīng)蒸發(fā)、磁控濺射沉積、離子束沉積等。

 

二、原理

 

PVD技術(shù)的原理是將材料源頭蒸發(fā)或?yàn)R射到基底表面,形成薄膜。這種技術(shù)是基于分子動(dòng)力學(xué)和熱力學(xué)原理的。

 

具體而言,PVD技術(shù)是通過(guò)高速粒子的撞擊將材料從源頭中蒸發(fā)或?yàn)R射到基底表面的。當(dāng)高速粒子撞擊到材料表面時(shí),材料分子就會(huì)被擊出。這些擊出的分子將沉積在基底表面上,并形成薄膜。

 

PVD技術(shù)的原理簡(jiǎn)單易懂,但是實(shí)際操作卻非常復(fù)雜。因此,PVD設(shè)備的制造過(guò)程也十分重要。

 


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三、零件制造


PVD設(shè)備主要由真空室、材料源、靶材、基底、加熱器、旋轉(zhuǎn)臺(tái)等組成。這些零件在制造過(guò)程中都需要考慮多個(gè)因素,例如材料的選擇、設(shè)計(jì)的合理性、工藝的優(yōu)化等。

 

其中,真空室是PVD設(shè)備的核心部件。真空室需要具備高度的真空度,能夠抵抗高溫、高壓、腐蝕等惡劣環(huán)境。因此,在真空室的設(shè)計(jì)和制造過(guò)程中,需要考慮到材料的選擇、結(jié)構(gòu)的優(yōu)化、密封性能等方面。

 

材料源是將材料蒸發(fā)或?yàn)R射到基底表面的關(guān)鍵部件。材料源通常采用靶材或者加熱器,可以通過(guò)不同的方式提供能量,將材料轉(zhuǎn)化為氣態(tài)或等離子態(tài),并通過(guò)真空管道輸送到基底表面。靶材的選擇和制造非常重要,需要考慮材料的純度、密度、形狀、尺寸等因素,以及其在濺射過(guò)程中的穩(wěn)定性和耐久性。

 

基底是薄膜沉積的最終位置,需要具備良好的表面質(zhì)量和物理化學(xué)性質(zhì),以便于沉積的薄膜具有優(yōu)異的性能?;椎牟牧贤ǔJ前雽?dǎo)體材料、金屬材料、陶瓷材料等,需要考慮其表面平整度、晶體結(jié)構(gòu)、熱膨脹系數(shù)等因素。

 

加熱器是用于將材料源加熱至高溫狀態(tài)的部件,以便將材料轉(zhuǎn)化為氣態(tài)或等離子態(tài),從而進(jìn)行沉積。加熱器的選擇和設(shè)計(jì)也非常重要,需要考慮到材料的耐高溫性、加熱均勻性、加熱速率等因素。

 

旋轉(zhuǎn)臺(tái)是用于保證基底表面均勻受到材料沉積的部件。旋轉(zhuǎn)臺(tái)的設(shè)計(jì)需要考慮到基底的尺寸和形狀、旋轉(zhuǎn)速率、軸承的穩(wěn)定性等因素。

 

除此之外,PVD設(shè)備還需要配備真空系統(tǒng)、加熱控制系統(tǒng)、氣體控制系統(tǒng)、電源等多種附屬設(shè)備,以保證整個(gè)工藝流程的穩(wěn)定性和可控性。

 

綜上所述,PVD設(shè)備的零件制造需要考慮多種因素,包括材料的選擇、設(shè)計(jì)的合理性、工藝的優(yōu)化等。只有在這些方面做到了精益求精,才能夠生產(chǎn)出優(yōu)質(zhì)的PVD設(shè)備,滿足市場(chǎng)的需求。


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