10月4號(hào)，據(jù)外媒消息稱，佳能公司將斥資超過(guò)500億日元（約3.5億美元）在日本中部栃木縣建設(shè)工廠，以擴(kuò)大其現(xiàn)有的芯片制造光刻機(jī)的生產(chǎn)，目標(biāo)將當(dāng)前半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)能提高
一倍。資料顯示，在2021年的全球光刻機(jī)市場(chǎng)，荷蘭ASML獨(dú)占了79.4%的市場(chǎng)份額，尼康與佳能分別占據(jù)10.4%和10.2%的市場(chǎng)份額。目前佳能在日本擁有兩家半導(dǎo)體設(shè)備工廠，此次新建新的光刻機(jī)設(shè)備工廠則是佳能近21年來(lái)的首次。
新的半導(dǎo)體設(shè)備工廠將于2023年開(kāi)始建設(shè)，該工廠將于2025年開(kāi)始運(yùn)營(yíng)，佳能發(fā)言人小林弘樹(shù)周三通過(guò)電話告訴彭博新聞社。小林說(shuō)，該公司還可能利用該設(shè)施生產(chǎn)下一代芯片制造設(shè)備-圍繞一種稱為納米壓印技術(shù)的技術(shù)-但由于該技術(shù)仍在開(kāi)發(fā)中，因此尚未做出最終決定。
光刻機(jī)是芯片制造過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備。華盛頓已經(jīng)確保中國(guó)無(wú)法從行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者ASML Holding NV獲得最先進(jìn)的光刻技術(shù)，并且正在加緊努力，進(jìn)一步限制中國(guó)獲得更成熟的光刻設(shè)備。
根據(jù)此前的資料顯示，相較于目前已商用化的EUV光刻技術(shù)，NIL 技術(shù)可大幅減少耗能，并降低設(shè)備成本。原因在于NIL 技術(shù)較為簡(jiǎn)單，耗電量可壓低至EUV 技術(shù)的10%，并讓設(shè)備投資降低至僅有EUV 設(shè)備的40%。不過(guò)，雖然NIL 技術(shù)有許多的優(yōu)點(diǎn)，但現(xiàn)階段在導(dǎo)入量產(chǎn)上仍有不少問(wèn)題有待解決，其中包括壓印頭的耐用性問(wèn)題、易因空氣中的細(xì)微塵埃的影響而形成瑕疵等問(wèn)題。
總部位于東京的佳能在芯片制造設(shè)備供應(yīng)方面落后于同胞尼康公司和荷蘭的ASML，其產(chǎn)品用于在成熟的生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)上制造不太先進(jìn)的半導(dǎo)體。據(jù)中國(guó)創(chuàng)始證券（Securities）稱，佳能的光刻機(jī)只能制造出130納米的芯片，這項(xiàng)技術(shù)在20多年前首次出現(xiàn)。
佳能建造一個(gè)全新的工廠的舉動(dòng)標(biāo)志著對(duì)舊芯片技術(shù)的持續(xù)需求的預(yù)期。
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