摘要
離子注入技術(shù)作為半導(dǎo)體領(lǐng)域中一項(xiàng)重要的摻雜工藝，將其應(yīng)用到
0引言
從1954年第一塊單晶硅太陽(yáng)電池問(wèn)世以來(lái)，作為太陽(yáng)電池的主要發(fā)展方向，晶硅電池技術(shù)取得了重大進(jìn)步，光電轉(zhuǎn)換效率從最初的6%提高到現(xiàn)在24.7%
[1](僅考慮單節(jié)非聚光模式下的太陽(yáng)電池)，然而這與晶硅電池的理論極限效率31%。
[2]還有很大差距。圖1為常規(guī)晶硅電池的工藝流程，在此基礎(chǔ)上的單晶電池轉(zhuǎn)換效率可達(dá)18.8%，多晶電池轉(zhuǎn)換效率可達(dá)17.5%。在不改變工藝方法和器件結(jié)構(gòu)的前提下，晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率遇到瓶頸，如何進(jìn)一步提高其轉(zhuǎn)換效率成了各大廠商和研究機(jī)構(gòu)的重點(diǎn)課題。
晶硅太陽(yáng)電池的效率損失主要分為光學(xué)損失和電學(xué)損失兩類，如圖2所示。高效電池技術(shù)研究重點(diǎn)就是通過(guò)工藝方法、器件結(jié)構(gòu)和原輔材料等各方面的改善，降低光學(xué)損失和電學(xué)損失，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率的提升。本文從工藝原理、實(shí)現(xiàn)方法、關(guān)鍵技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化情況等方面對(duì)離子注入技術(shù)進(jìn)行分析。
1離子注入工藝原理
當(dāng)真空中有一束離子束射向一塊固體材料時(shí)，受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低，并最終停留在固體材料中，這一現(xiàn)象稱為離子注入。在硅片中注入相應(yīng)的雜質(zhì)原子(如硼、磷、砷等)，可改變其表面電導(dǎo)率或形成p-n結(jié)。常規(guī)晶硅電池通過(guò)高溫?cái)U(kuò)散的方式制備p-n結(jié)。高溫?cái)U(kuò)散是熱化學(xué)反應(yīng)和熱擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的結(jié)合，p-n結(jié)質(zhì)量受化學(xué)結(jié)合力、擴(kuò)散系數(shù)和材料固溶度等因素的限制，且長(zhǎng)時(shí)間的高溫過(guò)程會(huì)對(duì)硅片晶格結(jié)構(gòu)造成損傷。另外，由于擴(kuò)散爐設(shè)備的限制，擴(kuò)散工藝還有一個(gè)難以克服的缺點(diǎn)，就是摻雜的均勻性較差。用離子注入技術(shù)代替高溫?cái)U(kuò)散制備p-n結(jié)，可有效解決上述問(wèn)題。
用于實(shí)現(xiàn)離子注入工藝的設(shè)備叫離子注入機(jī)。由于精準(zhǔn)
2離子注入
用離子注入技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)擴(kuò)散技術(shù)，可很方便地實(shí)現(xiàn)晶硅電池的產(chǎn)業(yè)化，其工藝流程如圖3所示。離子注入過(guò)程中高能離子對(duì)硅片晶格會(huì)造成一定損傷，可通過(guò)高溫退火的方法消除該損傷，利用退火這一步驟可同時(shí)在硅片表面生長(zhǎng)一層薄的SiO2層，對(duì)硅片表面起到鈍化作用。
離子注入技術(shù)相比傳統(tǒng)擴(kuò)散技術(shù)在晶硅電池中的優(yōu)勢(shì)有：
1)發(fā)射極在高方阻情況下能保證很好的均勻性；
2)退火過(guò)程同時(shí)可對(duì)發(fā)射極進(jìn)行熱氧化鈍化，減少表面復(fù)合損失；
3)離子注入制備的發(fā)射極能與絲網(wǎng)印刷電極有更好的接觸，減少接觸電阻損失；
4)不用對(duì)邊緣進(jìn)行刻蝕，進(jìn)而增加了電池的有效受光面積，減少光學(xué)損失；
5)無(wú)需去磷硅玻璃(PSG)這一步驟，減少污染和化學(xué)品消耗；
6)通過(guò)控制離子注入工藝的注入劑量、離子能量和退火工藝能精確控制摻雜水平；
7)離子注入技術(shù)可方便實(shí)現(xiàn)圖形化區(qū)域摻雜，可實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射極，也為背接觸電池(IBC)等高效電池結(jié)構(gòu)提供了可能性。
相較于傳統(tǒng)擴(kuò)散技術(shù)，離子注入技術(shù)制備的發(fā)射極具有更低的表面復(fù)合速率和更好的表面鈍化效果，使離子注入電池在短波區(qū)域的IQE響應(yīng)較高，即藍(lán)光響應(yīng)較好。
表1為分別用擴(kuò)散和離子注入制備的電池電性能對(duì)比[5]。由于離子注入制備的p-n結(jié)
3離子注入技術(shù)結(jié)合其他高效電池技術(shù)的應(yīng)用
3.1離子注入技術(shù)與SE技術(shù)的結(jié)合
離子注入技術(shù)的另一個(gè)優(yōu)勢(shì)在于其可很方便地實(shí)現(xiàn)選擇性發(fā)射極(SE)的制備。實(shí)現(xiàn)方式為：先在硅片表面進(jìn)行低濃度的離子注入摻雜，形成p-n結(jié)，再通過(guò)掩膜遮擋硅片表面其他區(qū)域，在柵線位置進(jìn)行第二次高濃度離子注入摻雜，形成選擇性發(fā)射極[6]。應(yīng)用選擇性摻雜技術(shù)可進(jìn)一步改善硅片表面的藍(lán)光響應(yīng)，提高電池轉(zhuǎn)換效率[7]。
3.2離子注入技術(shù)與背鈍化技術(shù)的結(jié)合
近年來(lái)，背鈍化技術(shù)在高效晶硅電池中開(kāi)始被重視。其原理是在硅片背面沉積一層Al2O3作為電池背表面的鈍化層，可有效降低電池背表面的復(fù)合速率，增加背面對(duì)光的反射，使原本會(huì)透過(guò)電池片的光反射回電池片內(nèi)部進(jìn)行二次吸收，增加了電池片對(duì)光的吸收。實(shí)驗(yàn)表明，背鈍化技術(shù)可有效提高電池轉(zhuǎn)換效率[8]。
離子注入技術(shù)能實(shí)現(xiàn)對(duì)電池正表面的鈍化，結(jié)合背鈍化技術(shù)，使電池的前后表面均可有效鈍化，最大程度減少?gòu)?fù)合損失，增加對(duì)光的利用，大幅提高電池轉(zhuǎn)換效率。目前已有研究機(jī)構(gòu)結(jié)合上述兩種技術(shù)使晶硅電池的平均轉(zhuǎn)換效率達(dá)20%以上[9]。
圖4為離子注入與背鈍化技術(shù)結(jié)合的高效晶硅電池工藝流程圖。制絨后的硅片先通過(guò)離子注入制備p-n結(jié)，同時(shí)對(duì)正表面形成SiO2鈍化，然后結(jié)合背鈍化技術(shù)進(jìn)行Al2O3的沉積，以及前后表面SiN膜的沉積。對(duì)比傳統(tǒng)晶硅電池的工藝流程可看出，正是利用離子注入的優(yōu)勢(shì)，可在較少的工藝步驟下實(shí)現(xiàn)p-n制備和雙面鈍化的效果，而且能與背鈍化技術(shù)實(shí)現(xiàn)完美的工藝對(duì)接。所以離子注入技術(shù)結(jié)合背鈍化技術(shù)提高電池效率是未來(lái)高效晶硅電池發(fā)展的一個(gè)重要方向。
3.3離子注入技術(shù)與IBC電池的結(jié)合
交叉指型IBC電池主要采用體少子壽命較高的n型單晶硅片作為基底。其特點(diǎn)是正面無(wú)電極，實(shí)現(xiàn)了電池正面“零遮擋”，正負(fù)電極交叉排列在電池背面[10]。
常規(guī)IBC電池用n型材料作為襯底，正面制成絨面結(jié)構(gòu)以降低反射率，表面采用SiO2/SiN層，與n 層結(jié)合作為
1)在硅片同一面實(shí)現(xiàn)p 區(qū)域和n 區(qū)域的交錯(cuò)擴(kuò)散；
2)氧化層的制備；
3)金屬電極下實(shí)現(xiàn)重?fù)诫s；
4)激光燒結(jié)等。
美國(guó)Sunpower公司和日本Sharp公司分別開(kāi)發(fā)了各自的產(chǎn)業(yè)化IBC電池，其中Sunpower公司的IBC電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到22.3%。但由于制作工藝過(guò)于復(fù)雜，工藝控制過(guò)程嚴(yán)格，成本一直居高不下，很難大規(guī)模推廣。
利用選擇性發(fā)射極的工藝原理，將離子注入技術(shù)代替?zhèn)鹘y(tǒng)擴(kuò)散技術(shù)作為IBC電池中的摻雜工藝，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)對(duì)摻雜表面的熱氧化鈍化，其工藝流程圖如圖5所示。這樣，上述IBC電池的幾個(gè)工藝難點(diǎn)(包括p 和n 交錯(cuò)擴(kuò)散、氧化層的制備和金屬電極下重?cái)U(kuò)散)均可通過(guò)離子注入技術(shù)的應(yīng)用得到有效解決，其中背面發(fā)射極和背表面場(chǎng)的制備需用到圖形化區(qū)域摻雜技術(shù)。而且得益于離子注入的高水平摻雜效果，能提高p-n結(jié)、前表面場(chǎng)(FSF)和背表面場(chǎng)(BSF)的質(zhì)量。因此將離子注入技術(shù)引入IBC電池中能有效降低IBC電池的工藝難度，降低制作成本，并且可提高電池轉(zhuǎn)換效率。